VINCITORI
La società statunitense ha annunciato, insieme al Georgia Institute of Technology, che i loro ricercatori hanno sviluppato un transistor in grado di raggiungere una velocità di 500 gigahertz, ossia 100 volte più veloce dei chip per Pc venduti attualmente e circa 250 volte più rapido dei chip per cellulari. Il transistor è costruito con silicone e germanio, un elemento chimico largamente usato per la fabbricazione di transistors nel passato, grazie alle sue proprietà di semiconduttore. “Per la prima volta, Georgia Tech ed IBM hanno dimostrato che è possibile raggiungere velocità di cinquecento miliardi di cicli al secondo in una tecnologia commerciale basata su Silicio, utilizzando grossi wafer e tecniche di produzione a basso costo compatibili con il Silicio stesso“, ha affermato John D. Cressler, Byers Professor presso la Georgia Tech’s School of Electrical and Computer Engineering, e uno dei ricercatori del Georgia Electronic Design Center (GEDC) presso la Georgia Tech. “La ricerca congiunta di Georgia Tech ed IBM ridefinisce i limiti prestazionali dei semiconduttori basati su silicio. IBM si è impegnata a lavorare a stretto contatto con i partner accademici ed industriali per innovare e ottenere una nuova generazione di microprocessori ad alte prestazioni, con consumi ridotti “, ha aggiunto Bernie Meyerson, vice President and Chief Technologist della divisione IBM Systems and Technology Group. Grazie al transistor presentato da IBM e dal Georgia Institute of Technology si potranno sviluppare computer e reti wireless rapidissime.
