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I ricercatori di IBM, Macronix e Qimonda hanno annunciato i risultati di una ricerca congiunta che aumenta le aspettative su di un nuovo tipo di memoria per computer che potrebbe sostituire le flash memory, ora ampiamente utilizzate nei computer e nell’elettronica di consumo, in particolare nelle macchine fotografiche digitali e nei riproduttori di musica portatili.
Questo progresso fa prevedere il futuro successo della memoria “phase-change”, che sembra essere molto più rapida, può assumere dimensioni più piccole di una flash, e può rendere possibile la realizzazione di dispositivi di memoria “non volatiti” ad alta densità e di congegni elettronici più potenti. Le memorie non volatili non hanno bisogno di energia elettrica per conservare le informazioni. Combinando la non volatilità con buone prestazioni e affidabilità, questa tecnologia “phase-change” potrà aprire la strada ad una memoria universale per le applicazioni mobili.
Da un lavoro congiunto dei vari laboratori di ricerca IBM negli Stati Uniti è stato progettato, costruito e realizzato un prototipo di memoria a cambiamento di fase che commuta 500 volte più velocemente di una memoria flash, utilizzando meno della metà dell’energia per scrivere le informazioni in una cella. La sezione del dispositivo ha dimensioni minuscole, di 3 x 20 nanometri, molto più piccola delle flash che possono essere prodotte al giorno d’oggi, ed ha dimensioni equivalenti ai chip industriali previsti per il 2015. Questo nuovo risultato mostra che, al contrario dei flash, la tecnologia di memoria “phase-change” può migliorare al diminuire delle dimensioni secondo la legge di Moore.
Il nuovo materiale è un semiconduttore formato da una lega germanio-antimonio (GeSb) cui sono stati addizionate piccole quantità di altri elementi (miscelati) per aumentarne le proprietà ed è il risultato di una ricerca approfondita condotta dal Centro di Ricerca IBM Almaden a San Jose, in California.
Studi di simulazione hanno consentito ai ricercatori di regolare e ottimizzare le proprietà del materiale e di studiare i dettagli del suo comportamento di cristallizzazione. E’ stato richiesto un brevetto sulla composizione del nuovo materiale.
I dettagli tecnici di questa ricerca verranno presentati questa settimana durante il Meeting internazionale di Dispositivi Elettronici 2006 dell’Istituto di Elettronica e Ingegneria Elettrica a San Francisco.
